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| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9V1T0BW |
| Características | – Tipo: SSD interno – Capacidad: 1 TB (1.000 GB) – Interfaz: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 – Factor de forma: M.2 2280 – Velocidad de lectura secuencial: hasta 7.450 MB/s – Velocidad de escritura secuencial: hasta 6.900 MB/s – Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.200.000 IOPS – Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.550.000 IOPS – Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND 3-bit MLC – Memoria caché: 1 GB Low Power DDR4 SDRAM – MTBF: 1.500.000 horas – Encriptación: AES 256 bits (Clase 0), TCG/Opal, IEEE1667 – TRIM – S.M.A.R.T. – Garbage Collection automático – Device Sleep Mode – Voltaje soportado: 3,3 V ± 5% – Temperatura operativa: 0 a 70 °C – Resistencia a golpes: 1.500 G – Software de gestión: Magician – Consumo medio: 5,4 W – Consumo máximo: 7,8 W – Consumo en reposo: 50 mW Dimensiones y peso – 80 x 22 x 2,3 mm – 9 g |
| Fecha de revisión | 14-08-2026 por IS |
