| Marca |
Samsung |
| Modelo |
MZ-VAP8T0BW |
| Capacidad |
– 8 TB |
| Interfaz |
– PCIe Gen 5.0 x4 NVMe 2.0 |
| Tamaño |
– M.2 (2280) |
| Rendimiento |
– Lectura secuencial: hasta 14.800 MB/s
– Escritura secuencial: hasta 13.400 MB/s
– Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 2.200.000 IOPS
– Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 2.600.000 IOPS |
| Características |
– Tipo de memoria: Samsung V-NAND TLC
– Memoria caché: Samsung 8 GB DDR4X SDRAM
– Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
– Resistencia a los golpes: 1500G
Dimensiones y peso
– 80,15 x 22.15 x 3,88 mm
– 9,5 g |
| Fecha de revisión |
03-11-2025 por RTY |