– Lectura secuencial: hasta 14.800 MB/s
– Escritura secuencial: hasta 13.400 MB/s
– Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 2.200.000 IOPS
– Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 2.600.000 IOPS
Características
– Tipo de memoria: Samsung V-NAND TLC
– Memoria caché: Samsung 8 GB DDR4X SDRAM
– Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
– Resistencia a los golpes: 1500G Dimensiones y peso
– 80,15 x 22.15 x 3,88 mm
– 9,5 g