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| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-QL23T800 |
| Capacidad | – 3.84 TB |
| Interfaz | – PCIe Express Gen4 x4, NVMe 1.4 |
| Tamaño | – 2.5″ |
| Rendimiento | – Lectura: 6.900 MB/s – Escritura: 4.100 MB/s – Lectura aleatoria (4KB, QD32): 100.000 IOPS – Escritura aleatoria (4KB, QD32): 180.000 IOPS |
| Características | – Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES – Tipo de memoria: V-NAND TLC – Componente para: PC – Encriptación de hardware – Soporte S.M.A.R.T. – Soporte TRIM – Protección de datos integral – Tiempo medio entre fallos: 2000000 h Control de energía – Voltaje de operación: 12 V – Consumo de energía (lectura): 11 W – Consumo de energía (escritura): 13,5 W – Consumo de energía (max): 3,5 W Condiciones ambientales – Intervalo de temperatura operativa: 0 – 70 °C – Golpes en funcionamiento: 1500 G Dimensiones y peso – 100,2 x 69,8 x 6,8 mm – 90 g |
| Fecha de revisión | 26-11-2024 por RTY |
